產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
英飛凌模塊的發(fā)展
日期：2025-04-19 22:28
瀏覽次數(shù)：558
摘要： 英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數(shù)敏感的應(yīng)用的領(lǐng)域得到率先應(yīng)用。業(yè)界一致認(rèn)為電動車充電樁與光伏發(fā)電是兩個(gè)比較典型的急需從傳統(tǒng)的Si器件升級到SiC器件的應(yīng)用。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅前沿的技術(shù)，產(chǎn)品以及解決方案，致力于滿足用戶對節(jié)能，提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新...
英飛凌模塊碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導(dǎo)體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們?yōu)楦邏汗β拾雽?dǎo)體提供了許多有吸引力的特性。SiC器件有可能在對效率、功率密度參數(shù)敏感的應(yīng)用的領(lǐng)域得到率先應(yīng)用。業(yè)界一致認(rèn)為電動車充電樁與光伏發(fā)電是兩個(gè)比較典型的急需從傳統(tǒng)的Si器件升級到SiC器件的應(yīng)用。英飛凌一直在不斷開發(fā)碳化硅前沿的技術(shù)，產(chǎn)品以及解決方案，致力于滿足用戶對節(jié)能，提升效率、縮減尺寸、系統(tǒng)集成和提高可靠性的需求。
新的CoolSiC模塊使用英飛凌的碳化硅溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，能獲得更高的芯片密度，英飛凌新興技術(shù)主管MarkMünzer表示：“隨著SiC器件價(jià)格的大幅下降，SiC解決方案的商業(yè)化將加速，從而使SiC技術(shù)被廣泛應(yīng)用于提升電動車的續(xù)航里程。”
