產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
三菱igbt模塊的性能特點
日期：2025-04-19 22:26
瀏覽次數(shù)：494
摘要：
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術(shù):低飽和壓降Vce(sat), 低開關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)...
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術(shù):低飽和壓降Vce(sat), 低開關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過采用氮化鋁AlN絕緣層實現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過調(diào)整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅(qū)動功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著改善，采用新的導(dǎo)線焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導(dǎo)線連接疲勞)。
尊敬的客戶：
本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、igbt等產(chǎn)品，您可以通過網(wǎng)頁撥打本公司的服務(wù)電話了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！
